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PDTC114EM

更新时间： 2024-02-17 17:32:21

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安世 - NEXPERIA		/
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11页	210K
描述
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩProduction

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PDTC114EM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTC114EM 数据手册

PDTC114EM

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

12 August 2022

Product data sheet

1. General description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

100 mA output current capability

•

Built-in bias resistors

Simplifies circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Digital application in automotive and industrial segments

Control of IC inputs

Cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications

Switching loads

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

R2/R1

0.8

1.2

12 3 4 5 6 7...11

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