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PDTC114ES,126

更新时间: 2024-02-27 01:02:04
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 92K
描述
PDTC114ES

PDTC114ES,126 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PDTC114ES,126 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTC144E series  
NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 47 k, R2 = 47 kΩ  
Product specification  
2004 Aug 17  
Supersedes data of 2004 Mar 23  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PDTC114ESAMO NXP TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P

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