是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 2.14 |
其他特性: | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 230 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
PDTC114EQB | NEXPERIA | 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistorsProduction |
获取价格 |
|
PDTC114EQB-Q | NEXPERIA | 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistorsProduction |
获取价格 |
|
PDTC114EQC-Q | NEXPERIA | 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistorsProduction |
获取价格 |
|
PDTC114ES | NXP | NPN resistor-equipped transistor |
获取价格 |
|
PDTC114ES,126 | NXP | PDTC114ES |
获取价格 |
|
PDTC114ESAMO | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P |
获取价格 |