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PDTC114EM

更新时间: 2024-11-24 22:50:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 91K
描述
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm

PDTC114EM 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-101
包装说明:1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, SC-101, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.12Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PBCC-N3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PDTC114EM 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTC114E series  
NPN resistor-equipped transistor;  
R1 = 10 k, R2 = 10 kΩ  
Product specification  
2004 Aug 05  
Supersedes data of 2003 Apr 10  

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