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PC28F00AG18FF

更新时间： 2024-02-18 21:42:45
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 存储
页数 文件大小 规格书
118页 1154K
描述
128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory

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PC28F00AG18FF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最长访问时间：96 ns命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：512
端子数量：64字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.000185 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

PC28F00AG18FF 数据手册

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128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory  
Features  
Micron StrataFlash Embedded Memory  
P/N – PC28F128G18xx  
P/N – PC28F256G18xx  
P/N – PC28F512G18xx  
P/N – PC28F00AG18xx  
• Power  
– Core voltage: 1.7 V - 2.0 V  
– I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V  
– Standby current: 60 μA (typ) for 512-Mbit, 65 nm  
– Deep Power-Down mode: 2 μA (typ)  
– Automatic Power Savings mode  
– 16-word synchronous-burst read current: 23 mA  
(typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @ 133 MHz  
• Software  
Features  
• High-Performance Read, Program and Erase  
– 96 ns initial read access  
– 108 MHz with zero wait-state synchronous burst  
reads: 7 ns clock-to-data output  
– 133 MHz with zero wait-state synchronous burst  
reads: 5.5 ns clock-to-data output  
– 8-, 16-, and continuous-word synchronous-burst  
Reads  
– Programmable WAIT configuration  
– Customer-configurable output driver impedance  
– Buffered Programming: 2.0 μs/Word (typ), 512-  
Mbit 65 nm  
– Micron® Flash data integrator (FDI) optimized  
– Basic command set (BCS) and extended com-  
mand set (ECS) compatible  
– Common Flash interface (CFI) capable  
• Security  
– Block Erase: 0.9 s per block (typ)  
– 20 μs (typ) program/erase suspend  
• Architecture  
– 16-bit wide data bus  
– Multi-Level Cell Technology  
– One-time programmable (OTP) space  
64 unique factory device identifier bits  
2112 user-programmable OTP bits  
– Absolute write protection: VPP = GND  
– Power-transition erase/program lockout  
– Individual zero latency block locking  
– Individual block lock-down  
– Symmetrically-Blocked Array Architecture  
– 256-Kbyte Erase Blocks  
– 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions  
– 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions  
– 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions  
– 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions  
– Read-While-Program and Read-While-Erase  
– Status Register for partition/device status  
– Blank Check feature  
• Density and packaging  
– 128Mb, 256Mb, 512Mbit, and 1-Gbit  
– Address-data multiplexed and non-multiplexed  
interfaces  
– 64-Ball Easy BGA  
• Quality and Reliability  
– Expanded temperature: –30 °C to +85 °C  
– Minimum 100,000 erase cycles per block  
– 65nm Process Technology  
PDF: 09005aef8448483a  
128_256_512_65nm_g18.pdf - Rev. F 8/11 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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