5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PC28F00BP30EF
PC28F00BP30EF PDF预览

PC28F00BP30EF

更新时间： 2024-11-09 12:18:51
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
92页 1225K
描述
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

阅读下载

中文翻译

获取价格

PC28F00BP30EF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：8 X 10 MM, 1.20 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-64针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.82
Is Samacsys：N最长访问时间：105 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：64
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

PC28F00BP30EF 数据手册

 浏览型号PC28F00BP30EF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PC28F00BP30EF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PC28F00BP30EF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PC28F00BP30EF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PC28F00BP30EF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PC28F00BP30EF的Datasheet PDF文件第7页 
512Mb, 1Gb, 2Gb: P30-65nm  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory (P30-65nm)  
JS28F512P30BFx, JS28F512P30EFx, JS28F512P30TFx,  
PC28F512P30BFx, PC28F512P30EFx, PC28F512P30TFx  
JS28F00AP30BFx, JS28F00AP30TFx, JS28F00AP30EFx,  
PC28F00AP30BFx, PC28F00AP30TFx, PC28F00AP30EFx,  
RC28F00AP30BFx, RC28F00AP30TFx, PC28F00BP30EFx  
• Security  
Features  
• High performance  
– One-time programmable register: 64 OTP bits,  
programmed with unique information from Mi-  
cron; 2112 OTP bits available for customer pro-  
gramming  
• Easy BGA package features  
– 100ns initial access for 512Mb, 1Gb Easy BGA  
– 105ns initial access for 2Gb Easy BGA  
– 25ns 16-word asychronous page read mode  
– 52 MHz (Easy BGA) with zero WAIT states and  
17ns clock-to-data output synchronous burst  
read mode  
– 4-, 8-, 16-, and continuous word options for burst  
mode  
• TSOP package features  
– Absolute write protection: VPP = VSS  
– Power-transition erase/program lockout  
– Individual zero-latency block locking  
– Individual block lock-down  
– Password access  
• Software  
– 25μs (TYP) program suspend  
– 25μs (TYP) erase suspend  
– 110ns initial access for 512Mb, 1Gb TSOP  
• Both Easy BGA and TSOP package features  
– Buffered enhanced factory programming (BEFP)  
at 2 MB/s (TYP) using a 512-word buffer  
– 1.8V buffered programming at 1.46 MB/s (TYP)  
using a 512-word buffer  
– Flash Data Integrator optimized  
– Basic command set and extended function Inter-  
face (EFI) command set compatible  
– Common flash interface  
• Density and Packaging  
– 56-lead TSOP package (512Mb, 1Gb)  
– 64-ball Easy BGA package (512Mb, 1Gb, 2Gb)  
– 16-bit wide data bus  
• Quality and reliabilty  
– JESD47 compliant  
• Architecture  
– MLC: highest density at lowest cost  
– Symmetrically blocked architecture (512Mb, 1Gb,  
2Gb)  
– Asymmetrically blocked architecture (512Mb,  
1Gb); four 32KB parameter blocks: top or bottom  
configuration  
– Operating temperature: –40°C to +85°C  
– Minimum 100,000 ERASE cycles per block  
– 65nm process technology  
– 128KB main blocks  
– Blank check to verify an erased block  
• Voltage and power  
– VCC (core) voltage: 1.7–2.0V  
– VCCQ (I/O) voltage: 1.7–3.6V  
– Standy current: 70µA (TYP) for 512Mb; 75µA  
(TYP) for 1Gb  
– 52 MHz continuous synchronous read current:  
21mA (TYP), 24mA (MAX)  
PDF: 09005aef845667b3  
p30_65nm_MLC_512Mb-1gb_2gb.pdf - Rev. B 12/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
1234567...92

中文翻译

下载PDF

与PC28F00BP30EF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PC28F00BP30EFA MICRON

获取价格

 		Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory
PC28F00BP33EFA MICRON

获取价格

 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)
PC28F064M29EWBA MICRON

获取价格

 		(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
PC28F064M29EWBX MICRON

获取价格

 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F064M29EWHA MICRON

获取价格

 		(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
PC28F064M29EWHX MICRON

获取价格

 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F064M29EWLA MICRON

获取价格

 		(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
PC28F064M29EWLX MICRON

获取价格

 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
PC28F064M29EWTA MICRON

获取价格

 		(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
PC28F064M29EWTX MICRON

获取价格

 		Parallel NOR Flash Embedded Memory

与PC28F00BP30EF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证