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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, BGA64,8X8,40 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | 长度： | 10 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1K | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 页面大小： | 16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8,1.8/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.00024 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PC28F00AP30EFA | MICRON |
获取价格 |
65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF |
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| PC28F00AP30TF | MICRON |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) |
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| PC28F00AP30TFA | MICRON |
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Numonyx® Axcell⢠P30-65nm Flash Memory 512 |
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| PC28F00AP33BFA | MICRON |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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| PC28F00AP33EFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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| PC28F00AP33TFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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| PC28F00BM29EWHA | MICRON |
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Parallel NOR Flash Embedded Memory |
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| PC28F00BP30EF | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) |
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| PC28F00BP30EFA | MICRON |
获取价格 |
Numonyx® Axcell⢠P30-65nm Flash Memory |
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| PC28F00BP33EFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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