PBSS4130PANP

更新时间： 2024-01-08 03:48:46

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管
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21页	345K
描述
30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS4130PANP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	300	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.48 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS4130PANP 数据手册

PBSS4130PANP

30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

12 December 2012

Product data sheet

1. General description

NPN/PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.

2. Features and benefits

Very low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High collector current gain h_FEat high I_C

Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

High efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

•

3. Applications

Load switch

•

Battery-driven devices

Power management

Charging circuits

Power switches (e.g. motors, fans)

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 1 ms

TR1 (NPN)

R_CEsat

collector-emitter

I_C= 1 A; I_B= 0.1 A; pulsed; t_p≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T_amb= 25 °C

190

mΩ

saturation resistance

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