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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.48 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4140DPN | NXP |
获取价格 |
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
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| PBSS4140DPN | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduction |
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| PBSS4140DPN,115 | NXP |
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PBSS4140DPN - 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor TSOP 6-Pin |
|
| PBSS4140DPN-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduction |
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| PBSS4140DPNT/R | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC |
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| PBSS4140S | NXP |
获取价格 |
40 V low VCEsat NPN transistor |
|
| PBSS4140S | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
|
| PBSS4140S,126 | NXP |
获取价格 |
PBSS4140S |
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| PBSS4140SAMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 |
|
| PBSS4140SH | PANJIT |
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SOT-89 |
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