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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QLCC |
| 包装说明： | QCCN, LCC28,.35X.55 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CQCC-N28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 73728 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC28,.35X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 1.905 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8.89 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P4C163-45LMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45LMLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45PC | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45PCLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45PM | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45PMB | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45PMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-45PMLF | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-55FMB | PYRAMID |
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Standard SRAM, 8KX9, 55ns, CMOS, CDFP28, FP-28 |
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| P4C163L | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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