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P4C163-55FMB

更新时间: 2024-11-30 16:43:51
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 55ns, CMOS, CDFP28, FP-28

P4C163-55FMB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.53
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-GDFP-F28
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX9封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.286 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:9.017 mm
Base Number Matches:1

P4C163-55FMB 数据手册

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