Datasheet > P4C163L-25CMB

P4C163L-25CMB

更新时间： 2024-10-27 08:13:55

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	323K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4C163L-25CMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.12
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.449 mm
内存密度：	73728 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX9	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	座面最大高度：	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

P4C163L-25CMB 数据手册

P4C163/P4C163L

ULTRA HIGH SPEED 8K x 9

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current (P4C163L Military)

Full CMOS, 6T Cell

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 25/35ns (Commercial)

Common I/O

– 25/35/45ns (Military)

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Low Power Operation (Commercial/Military)

Standard Pinout (JEDEC Approved)

– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

– 28-Pin CERPACK

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

Single 5V±10% Power Supply

DESCRIPTION

Accesstimesasfastas25nanosecondsareavailable,per-

mittinggreatlyenhancedsystemoperatingspeeds.CMOS

is used to reduce power consumption in both active and

standbymodes.

TheP4C163andP4C163Lare73,728-bitultrahigh-speed

staticRAMsorganizedas8Kx9.TheCMOSmemoriesre-

quire no clocks or refreshing and have equal access and

cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The RAMs

operate from a single 5V±10% tolerance power supply.

Withbatterybackup,dataintegrityismaintainedforsupply

voltages down to 2.0V. Current drain is 10 µA from a 2.0V

supply.

The P4C163 and P4C163L are available in 28-pin 300 mil

DIP and SOJ, 28-pin 350 x 550 mil LCC, and 28-pin

CERPACKpackagesprovidingexcellentboardleveldensi-

ties.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATIONS

DIP (P5, C5), SOJ (J5)

CERPACK (F4) SIMILAR

LCC (L5)

Document # SRAM120 REV C

Revised August 2006

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与P4C163L-25CMB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4C163L-25CMBLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28
P4C163L-25CMLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28
P4C163L-25DM	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-25DMB	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-25FM	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28
P4C163L-25FMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28
P4C163L-25FMBLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDFP28, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DFP-28
P4C163L-25FMLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDFP28, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DFP-28
P4C163L-25JC	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-25LC	ETC	获取价格	x9 SRAM

与P4C163L-25CMB相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

5
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

4
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

35
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4C163L-25CMB

P4C163L-25CMB 技术参数

P4C163L-25CMB 数据手册

与P4C163L-25CMB相关器件

与P4C163L-25CMB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4C163L-25CMB

P4C163L-25CMB 技术参数

P4C163L-25CMB 数据手册

与P4C163L-25CMB相关器件

与P4C163L-25CMB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？