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P4C163L-25CM PDF预览

P4C163L-25CM

更新时间： 2024-11-30 20:18:23
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

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P4C163L-25CM 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.3针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.12
最长访问时间：25 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：36.449 mm内存密度：73728 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：9
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX9
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.715 mm最大待机电流：0.0002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.145 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

P4C163L-25CM 数据手册

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P4C163/P4C163L  
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9  
STATIC CMOS RAMS  
FEATURES  
Full CMOS, 6T Cell  
Single 5V±10% Power Supply  
High Speed (Equal Access and Cycle Times)  
– 25/35ns (Commercial)  
Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical  
Current (P4C163L Military)  
– 25/35/45ns (Military)  
Common I/O  
Low Power Operation (Commercial/Military)  
– 690/800 mW Active – 25  
– 193/220 mW Standby (TTL Input)  
– 5.5 mW Standby (CMOS Input) P4C163L  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
Standard Pinout (JEDEC Approved)  
– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ  
– 28-Pin 350 x 550 mil LCC  
– 28-Pin CERPACK  
Output Enable and Dual Chip Enable Control  
Functions  
DESCRIPTION  
Access times as fast as 25 nanoseconds are available, per-  
mitting greatly enhanced system operating speeds. CMOS  
is used to reduce power consumption in both active and  
standby modes.  
The P4C163 and P4C163L are 73,728-bit ultra high-speed  
static RAMs organized as 8K x 9. The CMOS memories re-  
quire no clocks or refreshing and have equal access and  
cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The RAMs op-  
erate from a single 5V±10% tolerance power supply. With  
battery backup, data integrity is maintained for supply volt-  
agesdownto2.0V.Currentdrainis10µAfroma2.0Vsupply.  
The P4C163 and P4C163L are available in 28-pin 300 mil  
DIPandSOJand28-pin350x550milLCCpackagesprovid-  
ing excellent board level densities.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
A0  
A
A
A
A
A
V
CC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
3
27  
26  
0
1
2
3
73,728-BIT  
ROW  
MEMORY  
SELECT  
ARRAY  
2
A
A
A
A
A
A
4
5
6
7
8
9
CE  
A
WE  
2
3
4
2
28  
CE  
3
2
1
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
12  
4
A
12  
A
11  
A7  
A
A
5
6
7
8
1
11  
10  
4
5
6
7
8
5
A
A
A
A
I/O1  
A
10  
6
OE  
7
INPUT  
OE  
DATA  
COLUMN I/O  
A
9
8
A
9
CONTROL  
I/O  
I/O  
I/O  
10  
11  
12  
9
CE  
I/O  
1
I/O9  
CE1  
I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
9
1
I/O  
9
8
2
3
I/O  
2
14 15 16  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
COLUMN  
SELECT  
8
I/O  
3
13  
17  
7
6
5
I/O  
4
CE  
CE  
GND  
1
2
A8  
A12  
WE  
DIP (P5, C5), SOJ (J5)  
LCC (L5)  
CERPACK (F4) SIMILAR  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
OE  
Means Quality, Service and Speed  
1Q97  
109  
12345678

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与P4C163L-25CM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P4C163L-25CMB PYRAMID

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 		Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P4C163L-25CMBLF PYRAMID

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 		Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28
P4C163L-25CMLF PYRAMID

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