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NVF2955T1G PDF预览

NVF2955T1G

更新时间： 2024-11-09 12:18:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Power MOSFET −60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223

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NVF2955T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.37
Samacsys Description：P-channel MOSFET Transistor, 2 A, -60 V, 3-pin SOT-223雪崩能效等级（Eas）：225 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：0.185 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NVF2955T1G 数据手册

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NTF2955, NVF2955,  
NVF2955P  
Power MOSFET  
−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223  
Features  
http://onsemi.com  
• Design for low R  
DS(on)  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
• AEC−Q101 Qualified − NVF2955, NVF2955P  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−60 V  
−2.6 A  
145 mW @ −10 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
P−Channel  
Applications  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
D
• Power Management  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
−60  
20  
V
MARKING DIAGRAMS AND  
DSS  
PIN ASSIGNMENT  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
A
GS  
4 Drain  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−2.6  
−2.0  
2.3  
A
D
T = 85°C  
A
AYW  
2955G  
G
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
W
A
A
D
4
3
1
Gate  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−1.7  
−1.3  
1.0  
2
A
D
Source  
1
2
Drain  
3
T = 85°C  
A
4 Drain  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
AYW  
2955PG  
G
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−17  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
3
1
Gate  
T
STG  
2
Source  
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
225  
260  
mJ  
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Energy (V = 25 V, V = 10 V, I = 6.7 A,  
DD  
G
PK  
L = 10 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 seconds)  
T
L
°C  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Tab (Drain) − Steady State (Note 2)  
R
14  
q
JC  
NTF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000 /Tape & Reel  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
65  
°C/W  
q
q
JA  
JA  
R
150  
NVF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000/ Tape & Reel  
1000/ Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NVF2955PT1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size (Cu. area = 1.127  
2
in [1 oz] including traces)  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu. area = 0.341 in )  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 6  
NTF2955/D  
 
12345

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NVF2955T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF2955T1G ONSEMI

类似代替

 −60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−2
NVF2955PT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET −60 V, −2.6 A, Single P−Ch
STN3PF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 P-CHANNEL 60V - 0.18ohm - 3A SOT-223 STripFET

与NVF2955T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVF3055-100T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts
NVF3055L108 ONSEMI

获取价格

 		3.0 A, 60 V, Logic Level, N.Channel SOT−223
NVF3055L108T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Ch
NVF3055L108T3G ONSEMI

获取价格

 		3.0 A, 60 V, Logic Level, N.Channel SOT−223
NVF4-1 DBLECTRO

获取价格

 		NHG RELAYS
NVF4-1A HUAXINAN

获取价格

 		PC board mounting and direct insert mounting available
NVF4-1C HUAXINAN

获取价格

 		Small size and light weight
NVF4-1U HUAXINAN

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 		Small size and light weight
NVF4-2 DBLECTRO

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 		NHG RELAYS
NVF4-2A HUAXINAN

获取价格

 		Small size and light weight

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