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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTL4502NT1
NTL4502NT1 PDF预览

NTL4502NT1

更新时间： 2024-09-24 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
Quad Power MOSFET 24 V, 15 A, N−Channel, PInPAK-TM Package

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NTL4502NT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEADLESS, CASE 495-01, PINPAK-16针数：16
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：24 V最大漏极电流 (ID)：11.4 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XQCC-N16JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：16
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn90Pb10)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTL4502NT1 数据手册

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NTL4502N  
Quad Power MOSFET  
24 V, 15 A, N−Channel, PInPAKt Package  
Features  
• Four N−Channel MOSFETs in a Single Package  
http://onsemi.com  
• High Drain Current (Up to 80A per Device, Single Pulse t < 10 µs,  
p
R
qJC  
= 1.5 °C/W)  
• High Input Impedance for Ease of Drive  
• Ultra Low On−resistance (R ) Provides Low Conduction Losses  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(ON)  
DS(on)  
8.0 mΩ @ 4.5 V  
11.2 mΩ @ 10 V  
• Very Fast Switching Times Provides Low Switching Losses  
• Low Parasitic Inductance  
24 V  
15 A  
• Low Stored Charge for Efficient Switching  
• Very Low V Ideal for Synchronous Rectification  
• 200% Footprint Reduction Compared to Similar DPAK Solution for  
the Same Power  
SD  
MARKING  
DIAGRAM  
16  
• Advanced Leadless Power Integrated Package (PInPAK)  
1
16  
1
Applications  
NTL4502N  
AYWW  
• DC−DC Converters  
CASE 495  
PInPAK  
STYLE 1  
• Motherboard/Server Voltage Regulator  
• Telecomm/Industrial Power Supply  
• H−Bridge Circuits  
xx  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
• Low Voltage Motor Control  
WW  
= Work Week  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
24  
Units  
S1 D1G1 S2 D2G2  
V
DSS  
V
V
A
1
2
3
4
5 6  
V
GS  
±20  
15  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
I
D
T =25°C  
A
D1 16  
D4 15  
7 D2  
8 D3  
T =85°C  
A
10.9  
18.8  
2.9  
t≤10 s  
T =25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
T =25°C  
A
P
D
W
Steady  
State  
t≤10 s  
4.5  
11.4  
8.2  
14 13 12 11 10 9  
S4 D4 G4 S3 D3G3  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
I
D
A
T =25°C  
A
T =85°C  
A
(Bottom View)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T =25°C  
A
P
D
1.7  
W
Pinout Diagram  
Pulsed Drain Current tp=10 µs  
I
32  
A
DM  
ORDERING INFORMATION  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
STG  
Device  
Package  
Shipping  
Source Current (Body Diode)  
I
15  
80  
A
S
NTL4502NT1  
PInPAK  
1500 / Reel  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy – (V = 25 V, V =10 V, I =60 A,  
EAS  
mJ  
DD  
G
PK  
L=0.1 mH, R = 1.0 kW)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
August, 2003 − Rev. 2  
NTL4502N/D  
123456

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与NTL4502NT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTL4502NT1G ONSEMI

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 		TRANSISTOR 11.4 A, 24 V, 0.013 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEADLESS, CAS
NTLGD3502N ONSEMI

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 		Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package
NTLGD3502NT1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package
NTLGD3502NT2G ONSEMI

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 		Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package
NTLGF3402P ONSEMI

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 		Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Sc
NTLGF3402PT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Sc
NTLGF3402PT1G ROCHESTER

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 		2.3A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3 X 3 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, CASE 5
NTLGF3402PT2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Sc
NTLGF3501N ONSEMI

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 		Power MOSFET and Schottky Diode
NTLGF3501NT1G ROCHESTER

获取价格

 		2.8A, 20V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 506AG-01, DFN6, 6 PIN

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