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NTE2308

更新时间: 2024-11-08 22:49:55
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NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch

NTE2308 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P, 3 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:1.65外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):8
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzBase Number Matches:1

NTE2308 数据手册

 浏览型号NTE2308的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2308  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage, High Current Switch  
Features:  
D High Breakdown Voltage  
D Fast Switching Speed  
D Wide ASO  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Collector Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W  
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Note 1. Pules test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle 10%.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
Test Conditions  
= 400V, I = 0  
Min  
Typ Max Unit  
I
V
V
V
V
V
10  
10  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
E
I
= 5V, I = 0  
EBO  
C
h
FE  
= 5V, I = 1.6A  
15  
8
C
= 5V, I = 8A  
C
Current Gain–Bandwidth Product  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
f
T
= 10V, I = 1.6A  
20  
MHz  
V
C
V
CE(sat)  
V
BE(sat)  
I = 8A, I = 1.6A  
1.0  
1.5  
C
B
I = 8A, I = 1.6A  
V
C
B
C
ob  
V
CB  
= 10V, f = 1MHz  
160  
pF  

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