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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NTE2336
NTE2336 PDF预览

NTE2336

更新时间： 2024-11-01 22:54:19
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NTE 晶体二极管齐纳二极管开关晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington Switch w/Internal Damper & Zener Diode

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NTE2336 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：45 W最大功率耗散 (Abs)：45 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

NTE2336 数据手册

 浏览型号NTE2336的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2336  
Silicon NPN Transistor  
Darlington Switch w/Internal Damper  
& Zener Diode  
Features:  
D 60V Zener Diode Built–In Between Collector and Base  
D Low Fluctuation in Breakdown Voltages  
D High Energy Handling Capability  
D High Speed Switching  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±10V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±10V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45W  
Collector Power Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
Collector–Emitter Voltage  
DC Current Gain  
Symbol  
Test Conditions  
= 50V, I = 0  
Min  
–
Typ Max Unit  
I
V
V
–
–
100  
2
µA  
mA  
V
CBO  
CB  
E
I
= 7V, I = 0  
–
EBO  
EB  
C
V
CEO  
I = 5mA, I = 0  
50  
2000  
500  
–
–
70  
5000  
–
C
B
h
FE  
V
= 3V, I = 4A  
–
CE  
CE  
C
V
= 3V, I = 8A  
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
V
I = 4A, I = 8mA  
–
1.5  
2.0  
–
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 4A, I = 8mA  
–
–
BE(sat)  
C
B
f
T
V
CE  
= 10V, I = 500mA, f = 1MHz  
–
20  
MHz  
C
12

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