NTE2309

更新时间： 2024-11-09 04:00:19

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NTE		晶体开关晶体管
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描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch

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NTE2309 数据手册

NTE2309

Silicon NPN Transistor

High Voltage, High Current Switch

Features:

D High Breakdown Voltage

D Fast Switching Speed

D Wide ASO

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Collector Dissipation (T_A= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. Pules test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 10%.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

Test Conditions

= 400V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

–

µA

CBO

= 5V, I = 0

–

EBO

= 5V, I = 0.4A

–

= 5V, I = 2A

–

Current Gain–Bandwidth Product

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

= 10V, I = 0.4A

–

MHz

CE(sat)

BE(sat)

I = 3A, I = 0.6A

–

2.0

1.5

–

I = 3A, I = 0.6A

–

= 10V, f = 1MHz

–

120

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