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NTE2322 PDF预览

NTE2322

更新时间： 2024-11-23 22:49:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon PNP Transistor Quad, General Purpose

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NTE2322 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：2.11Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDIP-T14元件数量：4
端子数量：14封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

NTE2322 数据手册

 浏览型号NTE2322的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2322  
Silicon PNP Transistor  
Quad, General Purpose  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Each Transistor), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5mW/°C  
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Total Device), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.9W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C  
Thermal Reistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10mA, I = 0, Note 1  
40  
60  
5
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 10µA, I = 0  
C E  
(BR)CBO  
V
I = 10µA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 30V, I = 0  
–
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
V
= 3V, I = 0  
–
EBO  
E
ON Characteristics (Note 1)  
DC Current Gain  
h
V
V
V
= 10V, I = 10mA  
75  
100  
30  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 10V, I = 150mA  
–
C
= 10V, I = 300mA  
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
V
I = 150mA, I = 15mA  
C
0.4  
1.6  
1.5  
2.6  
V
V
V
V
CE(sat)  
B
I = 300mA, I = 30mA  
C
–
B
V
I = 150mA, I = 15mA  
C
–
BE(sat)  
B
I = 300mA, I = 30mA  
C
–
B
Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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