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NTE2335

更新时间: 2024-11-01 22:54:19
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NTE 晶体二极管齐纳二极管晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington w/Internal Zener Diode for Line Operated TV

NTE2335 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P, 3 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:1.66Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:80 W最大功率耗散 (Abs):80 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NTE2335 数据手册

 浏览型号NTE2335的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2335  
Silicon NPN Transistor  
Darlington w/Internal Zener Diode for Line Operated TV  
Features:  
D Excellent Wide Safe Operating Area  
D Included Avalanche Diode  
D High DC Current Gain  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±15V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ±15V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
I = 10mA, I = 0  
Min  
45  
45  
Typ  
60  
60  
Max  
75  
Unit  
V
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Cutoff Current  
V
(BR)CBO  
(BR)CBO  
C
E
V
I = 100mA, I = 0  
75  
V
C
B
I
V
= 6V, I = 0  
100  
20000  
1.5  
2.5  
1.8  
µA  
EBO  
EB  
CE  
C
DC Current Gain  
h
FE  
V
= 5V, I = 500mA  
2000  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
I = 500mA, I = 1mA  
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 1A, I = 1mA  
C
B
Base–Emitter Voltage  
Allowable Energy  
V
BE  
V
CE  
= 5V, I = 500mA  
V
C
E
T
80  
W.sec  

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2SD1294 TOSHIBA

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