NTE232

更新时间： 2024-11-08 22:49:55

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
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2页	24K
描述
Silicon PNP Transistor Darlington Amplifier, Preamp

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NTE232 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

NTE232 数据手册

NTE232

Silicon PNP Transistor

Darlington Amplifier, Preamp

Description:

The NTE232 is a silicon, planar, epitaxial passivated PNP Darlington transistor in a TO92 type pack-

age designed for preamplifier input applications where high impedance is a requirement.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW

Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500mW

Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C

Operating Junction Temperature range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . +230°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Static Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CESI_C= 100µA, I_B= 0

–

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 30V, I_E= 0

100 nA

V_BE= 8V, I_C= 0

–

100 nA

Forward Current Transfer Ratio

I_C= 10mA, V_CE= 5V

I_C= 100mA, V_CE= 5V

50k

20k

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 100mA, I_B= 0.1mA

Base–Emitter ON Voltage V_BE(on)I_C= 100mA, V_CE= 5V, Note 1

0.9 1.5

–

1.45 2.00

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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NTE232 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA953-A	RENESAS	功能相似	2SA953-A
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