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MJW16206

更新时间： 2024-11-25 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 309K
描述
POWER TRANSISTORS

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MJW16206 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AE包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.44
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：3
JEDEC-95代码：TO-247AEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

MJW16206 数据手册

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by MJW16206/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Bipolar Power Deflection Transistors  
For High and Very High Resolution CRT Monitors  
POWER TRANSISTORS  
12 AMPERES  
1200 VOLTS — V  
50 and 150 WATTS  
CES  
The MJF16206 and the MJW16206 are state–of–the–art SWITCHMODE bipolar  
power transistors. They are specifically designed for use in horizontal deflection  
circuits for high and very high resolution, monochrome and color CRT monitors.  
•
•
•
•
1200 Volt V  
Breakdown Capability  
CES  
Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)  
Maximum Repetitive Emitter–Base Avalanche Energy Specified (Industry First)  
High Current Capability: Performance Specified at 6.5 Amps  
Continuous Rating — 12 Amps Max  
Pulsed Rating — 15 Amps Max  
•
•
Isolated MJF16206 is UL Recognized  
Fast Switching: 100 ns Inductive Fall Time (Typ)  
1000 ns Inductive Storage Time (Typ)  
•
•
Low Saturation Voltage  
0.25 Volts (Typ) at 6.5 Amps Collector Current  
High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits —  
8.0 V (Min)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
1200  
500  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CES  
V
CEO(sus)  
V
EBO  
8.0  
Isolation Voltage  
(RMS for 1 sec., T = 25 C,  
Relative Humidity  
V
ISOL  
V
rms  
Figure 19  
Figure 20  
—
—
A
CASE 340K–01  
TO–247AE  
30%)  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Pulsed (1)  
I
12  
15  
Adc  
Adc  
C
I
CM  
Base Current — Continuous  
Base Current — Pulsed (1)  
I
5.0  
10  
B
I
BM  
Repetitive Emitter–Base Avalanche Energy  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
W
0.2  
mjoules  
Watts  
(BER)  
P
D
150  
39  
1.49  
C
Total Power Dissipation @ T = 100 C  
C
Derated above 25 C  
W/ C  
C
Operating and Storage Temperature  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.67  
260  
Unit  
C/W  
C
Thermal Resistance — Junction to Case  
R
θJC  
Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″  
from the Case for 5 seconds  
T
L
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle  
SCANSWITCH is a trademark of Motorola Inc.  
10%.  
REV 3  
Motorola, Inc. 1996
1234567...10

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MJW16206 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC2625 MOSPEC

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 POWER TRANSISTORS(10A,400V,80W)
NTE2308 NTE

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 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
MJW16206 MOTOROLA

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJW16210 MOTOROLA

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MJW16212 MOTOROLA

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MJW18020 ONSEMI

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 		8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS
MJW21191 ONSEMI

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 		POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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