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NSI6601MC-Q1SPR

更新时间： 2024-04-09 18:58:35

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纳芯微 - NOVOSENSE		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
27页	4650K
描述
NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流

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NSI6601MC-Q1SPR 数据手册

NSi6601M-Q1

Datasheet (EN) 1.0

5.2. Switching Characteristics

Switching characteristics are measured by using V_CC1=5V, 1uF capacitor from V_CC1to GND1, and V_CC2=15V with 10uF bypass capacitor

from V_CC2to V_EE2, Ta=-40℃ to 125℃, Unless otherwise noted, Typical values are at Ta=25℃.

Parameter

Minimum Pulse Width

Propagation Delay

Symbol

t_PWmin

t_pLH

Min

Typ

Max

Unit

Condition

110

C_LOAD=100pF

Propagation Delay

t_pHL

C_LOAD=100pF

C_LOAD=1nF

Pulse Width Distortion |t_PLH-t_PHL

t_PWD

t_R

Output Rise Time (20% to 80%)

Output Fall Time (80% to 20%)

Common Mode Transient

t_F

C_LOAD=1nF

CMTI

150

kV/us

）

Immunity¹

verified by design

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