5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NSI6602C-DSWKR
NSI6602C-DSWKR PDF预览

NSI6602C-DSWKR

更新时间： 2024-11-22 17:00:19
品牌 Logo 应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE 开关栅极驱动晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
34页 2679K
描述
NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大4A/6A的拉灌电

阅读下载

中文翻译

获取价格

NSI6602C-DSWKR 数据手册

 浏览型号NSI6602C-DSWKR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSI6602C-DSWKR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NSI6602C-DSWKR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NSI6602C-DSWKR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NSI6602C-DSWKR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NSI6602C-DSWKR的Datasheet PDF文件第7页 
NSI6602  
High Reliability Isolated Dual-Channel  
Gate Driver  
Datasheet (EN) 1.8  
Product Overview  
NSI6602 is a family of high reliability isolated dual-  
channel gate driver ICs which can be designed to drive  
power transistor up to 2MHz switching frequency. Each  
output could source 4A and sink 6A peak current with  
fast 25ns propagation delay and 5ns maximum delay  
matching.  
Safety Regulatory Approvals  
The NSI6602 provides 2500Vrms isolation per UL1577 in  
5-mm x 5-mm LGA13 package, 3000Vrms isolation in  
SOP16 package, and 5700Vrms isolation in SOW16 or  
SOW14 package. System robustness is supported by  
150kV/μs typical common-mode transient immunity  
(CMTI).  
UL recognition:  
LGA13: 2500Vrms for 1 minute per UL1577  
SOW16/SOW14: 5700Vrms for 1 minute per UL1577  
SOP16: 3000Vrms for 1 minute per UL1577  
The driver operates with a maximum supply voltage of  
25V, while the input-side accepts from 2.7V to 5V supply  
voltage. Under voltage lock-out (UVLO) protection is  
supported by all the power supply voltage pins.  
DIN VDE V 0884-11:2017-01  
CSA component notice 5A  
CQC certification per GB4943.1-2011  
Applications  
Key Features  
Isolated DC-DC and AC-to-DC power supplies in server,  
telecom, and industry  
Isolated dual channel driver  
DC-to-AC solar inverters  
Motor drives and EV charging  
UPS and battery chargers  
Input side supply voltage: 2.7V to 5.5V  
Driver side supply voltage: up to 25V with UVLO  
4A peak source and 6A peak sink output  
High CMTI: 150kV/μs typical  
Functional Block Diagram  
25ns typical propagation delay  
VDDI  
VDDA  
OUTA  
GNDA  
INA  
DT  
MOD  
DEMOD  
UVLO  
5ns maximum delay matching  
6ns maximum pulse width distortion  
Programmable deadtime  
UVLO,  
Disable  
&
Functional Isolation  
Dead-Time  
DIS  
INB  
VDDB  
OUTB  
GNDB  
Accepts minimum input pulse width 15ns  
Operation temperature: -40℃~125℃  
RoHS & REACH Qualified  
MOD  
DEMOD  
UVLO  
GNDI  
Figure 0.1 NSI6602 Block Diagram  
Copyright © 2023, NOVOSENSE  
Page 1  
1234567...34

中文翻译

下载PDF

与NSI6602C-DSWKR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSI6602C-DSWR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
NSI6602C-Q1SPNR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
NSI6602C-Q1SWKR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
NSI6602C-Q1SWR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
NSI6602VA-DLAMR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱
NSI6602VA-DLAR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱
NSI6602VA-DSPNR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱
NSI6602VA-DSWKR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱
NSI6602VA-DSWR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱
NSI6602VB-DLAMR NOVOSENSE

获取价格

 		NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱

与NSI6602C-DSWKR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证