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NP52N055SUG-E1-AZ

更新时间： 2024-11-11 20:58:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

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NP52N055SUG-E1-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.32	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP52N055SUG-E1-AZ 数据手册

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP52N055SUG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

NP52N055SUG

PACKAGE

The NP52N055SUG is N-channel MOS Field Effect

TO-252 (MP-3ZK)

Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

(TO-252)

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 26 A)

• Low C^iss: Ciss = 2100 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±52

±170

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.2

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

°C

Repetitive Avalanche Current ^Note2

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

I^AR

EAR

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 28 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

2.68

125

°C/W

R^th(ch-A)

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sales representative for availability and additional information.

Document No. D16865EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published January 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2004

12 3 4 5 6 7

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NP52N055SUG-E2	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NP52N055SUG-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,52A I(D),TO-252
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