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NP52N055SUG-E2

更新时间： 2024-11-11 20:58:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

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NP52N055SUG-E2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP52N055SUG-E2 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP52N055SUG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

NP52N055SUG

PACKAGE

The NP52N055SUG is N-channel MOS Field Effect

TO-252 (MP-3ZK)

Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

(TO-252)

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 26 A)

• Low C^iss: Ciss = 2100 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±52

±170

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.2

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

°C

Repetitive Avalanche Current ^Note2

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

I^AR

EAR

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 28 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

2.68

125

°C/W

R^th(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16865EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published January 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2004

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP52N055SUG-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,52A I(D),TO-252
NP52N055SUG-E2-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NP52N06SLG-E1-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NP52N06SLG-E2-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NP55N03SUG	RENESAS	获取价格	Product Scout Automotive
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