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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 288 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP55N04SUG-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,55A I(D),TO-252 |
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| NP55N04SUG-E1 | RENESAS |
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NP55N04SUG-E1 |
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| NP55N04SUG-E1-AY | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NP55N04SUG-E2 | RENESAS |
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NP55N04SUG-E2 |
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| NP55N055SDG | RENESAS |
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55 A, 55 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
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| NP55N055SDG-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,55A I(D),TO-252 |
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| NP55N055SDG-AZ | RENESAS |
获取价格 |
55A, 55V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
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| NP55N055SDG-E1-AZ | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, MP-3ZK, /Embossed Tape |
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| NP55N055SDG-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-3ZK, /Embossed Tape |
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| NP55N055SDG-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,55A I(D),TO-252 |
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