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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 77 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP55N055SDG-AZ | RENESAS |
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55A, 55V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
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| NP55N055SDG-E1-AZ | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, MP-3ZK, /Embossed Tape |
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| NP55N055SDG-E2-AY | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, MP-3ZK, /Embossed Tape |
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| NP55N055SDG-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,55A I(D),TO-252 |
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| NP55N055SUG | RENESAS |
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Product Scout Automotive |
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| NP55N055SUG-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,55A I(D),TO-252 |
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| NP55N055SUG-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP55N06CLD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB |
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| NP55N06DLD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-262AA |
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| NP55N06ELD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
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