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NP52N06SLG-E2-AY

更新时间： 2024-11-11 20:06:39

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	177K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

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NP52N06SLG-E2-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP52N06SLG-E2-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP52N06SLG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP52N06SLG is N-channel MOS FET designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NP52N06SLG-E1-AY

NP52N06SLG-E2-AY

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

Tape

TO-252 (MP-3ZK)

typ. 0.27 g

2500 p/reel

FEATURES

(TO-252)

• Channel temperature 175 degree rating

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 17.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 26 A)

• Logic level drive type

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±52

±104

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.2

T^ch

175

Storage Temperature

Repetitive Avalanche Current ^Note2

T^stg

−55 to +175

I^AR

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

EAR

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

2.68

125

°C/W

R^th(ch-A)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18202EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published July 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2006

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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