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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | HSON | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 220 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 77 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NP35N055YUK | RENESAS | Nch Single Power MOSFET 55V 35A 6.7mohm HSON-8 Automotive |
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| NP36N055HHE | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-251VAR |
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| NP36N055HHE-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251 |
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| NP36N055HHE-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP36N055HLE | NEC | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP36N055HLE-AZ | RENESAS | Power MOSFETs for Automotive, , / |
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