Datasheet > NP35N04YUG-E1-AY

NP35N04YUG-E1-AY

更新时间： 2024-02-25 23:30:50

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	224K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NP35N04YUG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	HSON	包装说明：	LEAD FREE, HSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	220 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	77 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP35N04YUG-E1-AY 数据手册

NP35N04YUG

Chapter Title

Typical Characteristics (T_A= 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS SAFE

OPERATING AREA

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

100

75 100 125 150 175

T_C- Case Temperature - °C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

1000

100

D(pulse)

¹0

Power Dissipation Limited

= 25C

Single Pulse

0.1

100

V_DS- Drain to Source Voltage - V

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

100

th(ch-A): 150°C/W

th(ch-C): 1.95°C/W

0.1

Single pulse

Mounted on glass epoxy substrate of 40 mm x 40 mm x 0.8 mmt

0.01

100 μ

1 m

10 m

100 m

100

1000

PW - Pulse Width - s

R07DS0016EJ0100 Rev.1.00

Jul 01, 2010

Page 3 of 6

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与NP35N04YUG-E1-AY相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP35N04YUG-E2-AY	RENESAS	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NP35N055YUK	RENESAS	Nch Single Power MOSFET 55V 35A 6.7mohm HSON-8 Automotive	获取价格
NP36N055HHE	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 36A I(D) \| TO-251VAR	获取价格
NP36N055HHE-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251	获取价格
NP36N055HHE-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055HLE	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格