Datasheet > NP04390

NP04390

更新时间： 2024-11-21 21:19:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	736K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NP04390 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

NP04390 数据手册

Composite Transistors

NP04390

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)

Unit: mm

For switching circuits

For digital circuits

0.12^+0.03

0.02

0 to 0.02

 Features

 Two elements incorporated into one package (Transistors with built-in resistor)

 SSSMini type package, reduction of the mounting area and assembly cost

 Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner equipments

(0.35) (0.35)

1.00±0.05

Display at No.1 lead

 Basic Part Number

 UNR32A3 + UNR31A4

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Emitter (Tr1)

4: Emitter (Tr2)

5: Base (Tr2)

2: Base (Tr1)

Collector-base voltage

(Emitter open)

3: Collector (Tr2)

6: Collector (Tr1)

V_CBO

SSSMini6-F1 Package

Collector-emitter voltage

(Base open)

Tr1

V_CEO

I_C

Marking Symbol: 3V

Internal Connection

Collector current

(C1) (B2) (E2)

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CBO

−50

47 kΩ

10 kΩ

Tr1

Collector-emitter voltage

(Base open)

Tr2

V_CEO

−50

Tr2

47 kΩ

Collector current

I_C

P_T

T_j

°C

−80

125

(E1) (B1) (C2)

Total power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

125

Overall

stg

–55 to +125

°C

Note) : Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm

Publication date: March 2006

SJJ00342BED

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与NP04390相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP043A1	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
NP043A2	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
NP043A3	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
NP043A6	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
NP043AN	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
NP04401	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
NP04601	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
NP04SA100J	TAIYO YUDEN	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
NP04SA100K	TAIYO YUDEN	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
NP04SA100M	TAIYO YUDEN	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, ROHS COMPLIANT

与NP04390相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NP04390

NP04390 技术参数

NP04390 数据手册

与NP04390相关器件

与NP04390相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NP04390

NP04390 技术参数

NP04390 数据手册

与NP04390相关器件

与NP04390相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？