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NP04401

更新时间： 2024-11-25 21:11:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 420K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN

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NP04401 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

NP04401 数据手册

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Composite Transistors  
NP04401  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Unit: mm  
0.12+0.03  
0.02  
Features  
6
5
4
Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated)  
SSSMini type package, reduction of the mounting area and assembly cost  
Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner equipments  
0 to 0.02  
1
2
3
(0.35) (0.35)  
Basic Part Number  
1.00±0.05  
Display at No.1 lead  
2SB0709A  
2
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
Rating  
−
60  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
1: Emitter (Tr1)  
4: Emitter (Tr2)  
5: Base (Tr2)  
V
−
50  
2: Base (Tr1)  
V
−
7  
3: Collector (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
SSSMini6-F1 Package  
mA  
mA  
mW  
°
C  
−
100  
−
200  
125  
Peak collector current  
ICP  
Marking Symbol: 5K  
Total power dissipation
*  
Junction temperature  
PT  
Internal Connection  
Tj  
125  
(C1) (B2) (E2)  
6
5
4
Storage temperature  
Tstg  
–
55 to +125  
°
C  
Note) : Measuring on substrate at 17 mm 10 mm 1 mm  
*
Tr2  
Tr1  
1
2
3
(E1) (B1) (C2)  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C±3
°
C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−
60  
−
50  
−
7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)
*  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO I
C
−
10 µA, I
E
= 0  
VCEO I
C
−
2 mA, IB = 0  
VEBO I
E
−
10 µA, IC = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB
−
20 V, I
E
= 0  
V
CE
−
10 V, IB = 0  
V
CE
−
10 V, IC
−
2 mA  
−
0.1  
−
100  
390  
µA  
µA  
V
180  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) I
C
−
100 mA, IB
−
10 mA  
−
0.3  
2.7  
−
0.5  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB
−
10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Transition frequency  
fT  
VCB
−
10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
80  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Pulse measurement  
*
Publication date: November 2005  
SJJ00343AED  
1
123

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与NP04401相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP04601 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
NP04SA100J TAIYO YUDEN

获取价格

 		General Purpose Inductor, 10uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
NP04SA100K TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
NP04SA100M TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, ROHS COMPLIANT
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 		General Purpose Inductor, 10uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
NP04SB100K TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
NP04SB100M TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2020, CHIP

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