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NP04601

更新时间： 2024-11-21 15:46:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 599K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN

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NP04601 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

NP04601 数据手册

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Composite Transistors  
NP04601  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)  
Unit: mm  
For general amplification  
0.12+0.03  
0.02  
6
5
4
Features  
0 to 0.02  
Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated)  
SSSMini type package, reduction of the mounting area and assembly cost  
Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner equipments  
1
2
3
(0.35) (0.35)  
1.00±0.05  
Display at No.1 lead  
Basic Part Number  
2SD0601A+ 2SB0709A  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
1: Emitter (Tr1)  
4: Emitter (Tr2)  
5: Base (Tr2)  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCBO  
60  
V
2: Base (Tr1)  
3: Collector (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
SSSMini6-F1 Package  
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
VCEO  
50  
7
V
V
Marking Symbol: 5C  
Tr1  
Emitter-base voltage  
(Collector open)  
VEBO  
Internal Connection  
(C1) (B2) (E2)  
Collector current  
IC  
100  
200  
mA  
mA  
6
5
4
Peak collector current  
ICP  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
Tr2  
Tr1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
−
60  
−
50  
−
7  
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1
2
3
(E1) (B1) (C2)  
Tr2  
Emitter-base voltage  
(Collector open)  
Collector current  
IC  
ICP  
PT  
Tj  
mA  
mA  
mW  
°
C  
−
100  
−
200  
Peak collector current  
Total power dissipation
*  
Junction temperature  
Storage temperature  
125  
125  
Overall  
T
stg  
–55 to +125  
°
C  
Note) : Measuring on substrate at 17 mm 10 mm 1 mm  
*
Publication date: November 2005  
SJJ00344AED  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP04SA100J TAIYO YUDEN

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