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NP043A6

更新时间： 2024-11-21 20:05:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 343K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN

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NP043A6 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

NP043A6 数据手册

 浏览型号NP043A6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NP043A6的Datasheet PDF文件第3页 
Composite Transistors  
NP043A6  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)  
Unit: mm  
For digital circuits  
0.12+0.03  
0.02  
6
5
4
Features  
0 to 0.02  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half  
Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner equipments  
1
2
3
(0.35) (0.35)  
Basic Part Number  
UNR31A6 + UNR32A6  
1.00±0.05  
Display at No.1 lead  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCBO  
50  
V
1: Emitter (Tr1)  
4: Emitter (Tr2)  
5: Base (Tr2)  
2: Base (Tr1)  
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
Tr1  
Tr2  
3: Collector (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
VCEO  
IC  
50  
80  
V
mA  
V
SSSMini6-F1 Package  
Collector current  
Marking Symbol: 7U  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCBO  
Internal Connection  
−
50  
6
5
4
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
VCEO  
V
−
50  
Tr2  
Tr1  
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
mA  
mW  
°
C  
−
80  
125  
Total power dissipation
*  
1
2
3
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
125  
T
stg  
–55 to +125  
°
C  
Note) : Measuring on substrate at 17 mm 10 mm 1 mm  
*
Publication date: February 2005  
SJJ00312AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP043AN PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
NP04401 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
NP04601 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
NP04SA100J TAIYO YUDEN

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