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NP043A3

更新时间： 2024-11-21 15:46:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 673K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN

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NP043A3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.08 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

NP043A3 数据手册

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Composite Transistors  
NP043A3  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)  
Unit: mm  
For digital circuits  
0.12+0.03  
0.02  
6
5
4
Features  
0 to 0.02  
Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated)  
SSSMini type package, reduction of the mounting area and assembly cost  
Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner equipments  
1
2
3
(0.35) (0.35)  
1.00±0.05  
Display at No.1 lead  
Basic Part Number  
UNR32A3 + UNR31A3  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
1: Emitter (Tr1)  
4: Emitter (Tr2)  
5: Base (Tr2)  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCBO  
50  
V
2: Base (Tr1)  
3: Collector (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
SSSMini6-F1 Package  
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
Tr1  
VCEO  
IC  
50  
80  
V
mA  
V
Marking Symbol: BZ  
Internal Connection  
Collector current  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCBO  
−
50  
(C1) (B2) (E2)  
6
5
4
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
R1  
Tr2  
R2  
47 kΩ  
47 kΩ  
Tr1  
VCEO  
V
−
50  
Tr2  
47 kΩ  
R2  
47 kΩ  
R1  
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
mA  
mW  
°
C  
−
80  
125  
Total power dissipation
*  
Junction temperature  
Storage temperature  
1
2
3
(E1) (B1) (C2)  
125  
Overall  
T
stg  
–55 to +125  
°
C  
Note) : Measuring on substrate at 17 mm 10 mm 1 mm  
*
Publication date: June 2005  
SJJ00325AED  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP043A6 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
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