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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> NNCD10D-A
NNCD10D-A PDF预览

NNCD10D-A

更新时间： 2024-10-28 13:12:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 85W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

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NNCD10D-A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.52最大击穿电压：10.58 V
最小击穿电压：9.42 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e6
最大非重复峰值反向功率耗散：85 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NNCD10D-A 数据手册

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DATA SHEET  
E.S.D NOISE CLIPPING DIODES  
NNCD3.3A to NNCD12A  
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES  
(400 mW TYPE)  
This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic  
PACKAGE DIMENSIONS  
Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on  
electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endur-  
ance of no less than 30 kV.  
(in millimeters)  
φ
0.4  
Type NNCD2.0A to NNCD12A Series is into DO-34 Package  
(Body length 2.4 mm MAX.) with DHD (Double Heatsink Diode)  
construction having allowable power dissipation of 400 mW.  
Cathode  
indication  
FEATURES  
•
•
•
Based on the electrostatic discharge immunity test (IEC1000-4-  
2), the product assures the minimum endurance of 30 kV.  
Based on the reference supply of the set, the product achieves  
a series over a wide range (15 product name lined up).  
DHD (Double Heatsink Diode) construction.  
φ
2.0 MAX.  
APPLICATIONS  
•
•
Circuit E.S.D protection.  
Circuits for Waveform clipper, Surge absorber.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Power Dissipation  
P
400 mW  
Surge Reverse Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
100 W (tT = 10 µs 1 pulse) Fig. 7  
175 °C  
Tstg  
–65 °C to +175 °C  
Document No. D11769EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published December 1996 N  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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与NNCD10D-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NNCD10D-T1 RENESAS

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 		85W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
NNCD10D-T1-A RENESAS

获取价格

 		NNCD10D-T1-A
NNCD10D-T1-AT RENESAS

获取价格

 		NNCD10D-T1-AT
NNCD10D-T2 RENESAS

获取价格

 		UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
NNCD10D-T2-A RENESAS

获取价格

 		TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIRECTIONAL,UMD2VAR
NNCD10E NEC

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 		ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 200 mW TYPE
NNCD10F NEC

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 		ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES DOUBLE TYPE, ANODE COMMON 3PIN MINI MOLD
NNCD10F-A NEC

获取价格

 		暂无描述
NNCD10F-A RENESAS

获取价格

 		100W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
NNCD10F-AT RENESAS

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 		暂无描述

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