是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SSP |
包装说明: | R-PDSO-G2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.84 |
最大击穿电压: | 10.58 V | 最小击穿电压: | 9.42 V |
击穿电压标称值: | 10 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 85 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.2 W | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NNCD10D-T1-AT | RENESAS |
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NNCD10D-T1-AT | |
NNCD10D-T2 | RENESAS |
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UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2 | |
NNCD10D-T2-A | RENESAS |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIRECTIONAL,UMD2VAR | |
NNCD10E | NEC |
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ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 200 mW TYPE | |
NNCD10F | NEC |
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ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES DOUBLE TYPE, ANODE COMMON 3PIN MINI MOLD | |
NNCD10F-A | NEC |
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暂无描述 | |
NNCD10F-A | RENESAS |
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100W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN | |
NNCD10F-AT | RENESAS |
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暂无描述 | |
NNCD10F-L | RENESAS |
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NNCD10F-L | |
NNCD10F-T1B | NEC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 2 Element, Silicon, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |