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NNCD10C-T1

更新时间: 2024-10-28 19:11:47
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日电电子 - NEC /
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5页 119K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 85W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

NNCD10C-T1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.52最大击穿电压:10.58 V
最小击穿电压:9.42 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:85 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

NNCD10C-T1 数据手册

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