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NM93C06MT8

更新时间: 2024-09-09 20:22:03
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美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管
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8页 443K
描述
IC 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, TSSOP-8, Programmable ROM

NM93C06MT8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.78Is Samacsys:N
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
长度:4.4 mm内存密度:256 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:8
字数:16 words字数代码:16
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16X16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.00005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.001 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3 mm写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

NM93C06MT8 数据手册

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