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NM93C06VMT8

更新时间： 2024-09-09 20:22:03

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美国国家半导体 - NSC		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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8页	443K
描述
IC 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8, Programmable ROM

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NM93C06VMT8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	4.4 mm
内存密度：	256 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16 words
字数代码：	16	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16X16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM93C06VMT8X	TI	获取价格	IC 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8, Programmable ROM
NM93C06VN	FAIRCHILD	获取价格	256-Bit Serial CMOS EEPROM (MICROWIRE⑩ Synchr
NM93C06VN	TI	获取价格	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
NM93C06WM	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 16X16, Serial, CMOS, PDSO14, SO-14
NM93C13	NSC	获取价格	256-/1024-Bit Serial EEPROM
NM93C13M	TI	获取价格	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, SO-8
NM93C13M8	NSC	获取价格	256-/1024-Bit Serial EEPROM
NM93C13MX	TI	获取价格	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, SO-8
NM93C13N	NSC	获取价格	256-/1024-Bit Serial EEPROM
NM93C14J	TI	获取价格	64X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, CDIP8, DIP-8