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NM93C13N PDF预览

NM93C13N

更新时间： 2024-11-01 22:38:39
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美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
8页 163K
描述
256-/1024-Bit Serial EEPROM

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NM93C13N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92数据保留时间-最小值：15
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e0长度：9.817 mm
内存密度：256 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：8字数：16 words
字数代码：16工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大待机电流：0.0002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
写保护：SOFTWAREBase Number Matches：1

NM93C13N 数据手册

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September 1994  
NM93C13/C14  
256-/1024-Bit Serial EEPROM  
General Description  
Features  
Y
Typical active current 400 mA; Typical standby current  
25 mA  
The NM93C13/C14 is 256/1024, respectively, bits of  
CMOS electrically erasable memory divided into 16/64 16-  
bit registers. They are fabricated using National Semicon-  
ductor’s floating-gate CMOS process for high speed, high  
reliability and low power. The NM93C13/C14 is available in  
an 8-pin SO package to save board space.  
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Reliable CMOS floating gate technology  
4.5V to 5.5V operation in all modes  
MICROWIRE compatible serial I/O  
Self-timed programming cycle  
The serial interface of the NM93C13/C14 is MICROWIRETM  
compatible for simple interface to standard microcontrollers  
and microprocessors. There are  
Erase/Write Enable, Erase, Erase All, Write, Write All, and  
Erase/Write Disable.  
Device status indication during programming mode  
15 years data retention  
7 instructions: Read,  
Endurance: 100,000 read/write cycles minimum  
Packages available: 8-pin DIP, 8-pin SO  
All programming cycles are completely self-timed for simpli-  
fied operation. The ready/busy status is available on the DO  
pin to indicate the completion of a programming cycle.  
Block Diagram  
TL/D/11291–1  
TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.  
MICROWIRETM is a trademark of National Semiconductor Corporation.  
C
1995 National Semiconductor Corporation  
TL/D/11291  
RRD-B30M65/Printed in U. S. A.  
12345678

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