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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 5 weeks | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NJVMJD45H11RLG-VF01 | ONSEMI |
获取价格 |
8 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor, 1800-REEL |
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| NJVMJD45H11T4G | ONSEMI |
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Complementary Power Transistors |
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| NJVMJD45H11T4G-VF01 | ONSEMI |
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TRANS PNP 80V 8A DPAK-4 |
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| NJVMJD47T4G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Power Transistors |
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| NJVMJD50T4G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Power Transistors |
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| NJVMJD6039T4G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 达林顿双极功率晶体管 |
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| NJVMJK31CTWG | ONSEMI |
获取价格 |
Power Transistor 100 V, 3 A Dual General Purpose NPN |
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| NJVMJK32CTWG | ONSEMI |
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Power Transistor 100 V, 3 A Dual General Purpose PNP |
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| NJVMJK44H11TWG | ONSEMI |
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80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
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| NJVMJK45H11TWG | ONSEMI |
获取价格 |
80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
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