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NESG260234-T1

更新时间： 2024-01-04 09:06:25

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CEL		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
11页	353K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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NESG260234-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	7.2 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NESG260234-T1 数据手册

NESG260234

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

CE = 7 V

CE = 6 V

f = 460 MHz

100

Collector Current I

1 000

100

Collector Current I

1 000

(mA)

INSERTION POWER GAIN,

MAG, MSG vs. FREQUENCY

INSERTION POWER GAIN,

MAG, MSG vs. FREQUENCY

CE = 6 V

CE = 5 V

I = 100 mA

MSG

MAG

MSG

|S21e

0.1

1.0

Frequency f (GHz)

INSERTION POWER GAIN,

MAG, MSG vs. FREQUENCY

INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG

vs. COLLECTOR CURRENT

CE = 7 V

MSG

I = 100 mA

MAG

MSG

MAG

|S21e

MAG

MSG

|S21e

CE = 5 V

f = 460 MHz

0.1

1.0

Frequency f (GHz)

100

Collector Current I

1 000

(mA)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PU10547EJ02V0DS

1...3 4 567 8 9...11

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与NESG260234-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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NESG260234-T1FB-AZ	NEC	暂无描述	获取价格
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