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NESG260234-T1

更新时间： 2024-01-06 12:59:43

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CEL		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
11页	353K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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NESG260234-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	7.2 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NESG260234-T1 数据手册

NESG260234

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

Parameter

DC Characteristics

Symbol

Test Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

VCB = 9.2 V, IE = 0 mA

−

µA

−

VEB = 1.0 V, IC = 0 mA

VCE = 3 V, IC = 100 mA

Note

hFE

120

180

RF Characteristics

Linner Gain (1)

V^CE= 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

−

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 0 dBm

Linner Gain (2)

V^CE= 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 0 dBm

G^L

Pout

ηC

−

28.5

−

30.0

−

dBm

V^CE= 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 15 dBm

Output Power (1)

V^CE= 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 20 dBm

Output Power (2)

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 15 dBm

Collector Efficiency (1)

Collector Efficiency (2)

−

VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 20 dBm

ηC

−

Note Pulse measurement: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

hFE CLASSIFICATION

Rank

Marking

hFE Value

80 to 180

Data Sheet PU10547EJ02V0DS

1 234 5 6 7...11

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