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NESG260234-T1

更新时间： 2024-01-08 03:05:37

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
11页	353K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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NESG260234-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	7.2 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NESG260234-T1 数据手册

NESG260234

COMPONENT LIST

Component

Maker

Value

10 pF

4 pF

Size (TYPE)

1005

Purpose

Input DC Block/Input RF Matching

Input RF Matching

Murata

Toko

1005

33 pF

10 000 pF

1 µF

1005

Input DC Block/Output RF Matching

RF GND

1005

1608

RF GND

68 nH

33 nH

1 nH

1005

RF Block/Input RF Matching

RF Block/Output RF Matching

Input RF Matching

Toko

LLQ2021

1005

Toko

8.2 nH

15 Ω

1005

Input RF Matching

Toko

LLQ2021

1608

Output RF Matching

Improve Stability

SSM

Data Sheet PU10547EJ02V0DS

1...6 7 8910 11

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