Datasheet > NESG250134-T1-AZ

NESG250134-T1-AZ

更新时间： 2024-01-20 02:23:51

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体晶体管输出元件 ISM频段放大器
页数	文件大小	规格书
13页	709K
描述
NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NESG250134-T1-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	9.2 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz
Base Number Matches：	1

NESG250134-T1-AZ 数据手册

NESG250134

TYPICAL CHARACHTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise speciﬁed )

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

TOTAL POWER DISSIPATION

vs. AMBIENT TEMPERATURE

2.0

1.6

f = 1 MHz

Mounted on Glass epoxy PWB

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

(34.2 cm²× 0.8 mm (t) )

1.6

1.5

1.2

0.8

Nature Neglect

0.4

100

125

150

Ambient Temperature TA (ºC)

Collector to Base Voltage V^CB(V)

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

1,000

100

1,000

100

VCE = 3 V

VCE = 4 V

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

Base to Emitter Voltage V^BE(V)

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

500

400

300

200

100

10 mA

9 mA

8 mA

7 mA

6 mA

5 mA

4 mA

3 mA

2 mA

IB = 1 mA

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

1 2 345 6 7...13

下载PDF

与NESG250134-T1-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG250134-T1-AZFB	RENESAS	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	获取价格
NESG250134-T1-AZ-FB	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic	获取价格
NESG250134-T1FB	NEC	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
NESG250134-T1FB-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic	获取价格
NESG250134-T1-FB-AZ	RENESAS	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
NESG260234	NEC	3-PIN POWER MINIMOLD	获取价格