2SJ599

更新时间： 2024-02-10 01:24:28

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	43K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SJ599 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	TO-252AB	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.14	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.111 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ599 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ599

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SJ599 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

PART NUMBER

2SJ599

PACKAGE

TO-251

2SJ599-Z

TO-252

FEATURES

• Low on-state resistance:

R^DS(on)1= 75 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –10 A)

R^DS(on)2= 111 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –10 A)

• Low C^iss: C^iss= 1300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

–60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

(TO-252)

P^T

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150 °C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

–20

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= –20 V → 0 V

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Document No.

Date Published November 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14644EJ1V0DS00 (1st edition)

2000

12 3 4

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与2SJ599相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ599(0)-Z-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ599(0)-Z-E1-AZ	RENESAS	Pch Single Power Mosfet -60V -20A 75Mohm Mp-3Z/To-252, MP-3Z, /Embossed Tape	获取价格
2SJ599-AY	RENESAS	Pch Single Power Mosfet -60V -20A 75Mohm Mp-3/To-251, MP-3, /Bag	获取价格
2SJ599-AZ	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
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2SJ599-Z	RENESAS	20000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	获取价格