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NCP347MTAITBG

更新时间： 2024-09-20 01:16:39
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安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 484K
描述
Positive Overvoltage Protection Controller

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NCP347MTAITBG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFN包装说明：2.50 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, WDFN-10
针数：10Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.14可调阈值：NO
模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUITJESD-30 代码：R-PDSO-N10
JESD-609代码：e3长度：2.5 mm
信道数量：1功能数量：1
端子数量：10最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装等效代码：SOLCC10,.08,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
子类别：Power Management Circuits最大供电电流 (Isup)：0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：28 V最小供电电压 (Vsup)：1.2 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：2 mmBase Number Matches：1

NCP347MTAITBG 数据手册

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NCP347  
Positive Overvoltage  
Protection Controller with  
Internal Low RON NMOS FET  
and Status FLAG  
http://onsemi.com  
MARKING  
The NCP347 is able to disconnect the systems from its output pin  
in case wrong input operating conditions are detected. The system is  
positive overvoltage protected up to +28 V.  
Due to this device using internal NMOS, no external device is  
necessary, reducing the system cost and the PCB area of the  
application board.  
DIAGRAM  
XXX M  
WDFN10  
MT SUFFIX  
CASE 516AA  
G
The NCP347 is able to instantaneously disconnect the output from  
the input, due to integrated Low R Power NMOS (65 mW), if the  
ON  
input voltage exceeds the overvoltage threshold (OVLO) or  
undervoltage threshold (UVLO).  
XXX = Specific Device Code  
M
= Date Code  
At powerup (EN pin = low level), the V turns on 50 ms after the  
out  
G
= Pb−Free Package  
V
in  
exceeds the undervoltage threshold.  
The NCP347 provides a negative going flag (FLAG) output, which  
alerts the system that a fault has occurred.  
PIN CONNECTIONS  
In addition, the device has ESD−protected input (15 kV Air) when  
bypassed with a 1.0 mF or larger capacitor.  
IN  
1
2
10 EN  
PAD1  
GND  
GND  
9
NC  
Features  
• Overvoltage Protection up to 28 V  
FLAG  
IN  
3
4
5
8
7
6
NC  
• On−Chip Low R  
NMOS Transistor: 65 mW  
DS(on)  
OUT  
OUT  
PAD2  
IN  
• Internal Charge Pump  
IN  
• Overvoltage Lockout (OVLO)  
• Undervoltage Lockout (UVLO)  
• Internal 50 ms Startup Delay  
• Alert FLAG Output  
(Top View)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 12 of this data sheet.  
• Shutdown EN Input  
• Compliance to IEC61000−4−2 (Level 4)  
8.0 kV (Contact)  
15 kV (Air)  
• ESD Ratings: Machine Model = B  
Human Body Model = 3  
• 10 Lead WDFN 2.5x2 mm Package  
• This is a Pb−Free Device  
Applications  
• Cell Phones  
• Camera Phones  
• Digital Still Cameras  
• Personal Digital Applications  
• MP3 Players  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
May, 2010 − Rev. 4  
NCP347/D  
1234567...13

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NCP347MTAITBG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NCP347MTAHTBG ONSEMI

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