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NCP349MNAETBG

更新时间： 2024-09-19 05:52:03
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安森美 - ONSEMI 控制器
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12页 460K
描述
Positive Overvoltage Protection Controller with Internal Low RON NMOS FET

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NCP349MNAETBG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：1.60 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, DFN-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.47
高边驱动器：NO接口集成电路类型：AND GATE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
长度：2 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：6
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出峰值电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
最大供电电压：28 V最小供电电压：1.2 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.6 mmBase Number Matches：1

NCP349MNAETBG 数据手册

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NCP349  
Positive Overvoltage  
Protection Controller with  
Internal Low RON NMOS FET  
The NCP349 is able to disconnect the systems from its output pin  
in case wrong input operating conditions are detected. The system is  
positive overvoltage protected up to +28 V.  
http://onsemi.com  
Due to this device using internal NMOS, no external device is  
necessary, reducing the system cost and the PCB area of the  
application board.  
MARKING  
DIAGRAM  
6
1
1
The NCP349 is able to instantaneously disconnect the output from  
XX MG  
DFN6  
the input, due to integrated Low R Power NMOS (65 mW), if the  
ON  
G
MN SUFFIX  
CASE 506BM  
input voltage exceeds the overvoltage threshold (OVLO) or  
undervoltage threshold (UVLO).  
At powerup (EN pin = low level), the V turns on t time after  
out  
on  
XX = Specific Device Code  
the V exceeds the undervoltage threshold.  
in  
M
= Date Code  
The NCP349 provides a negative going flag (FLAG) output, which  
alerts the system that a fault has occurred.  
G
= Pb−Free Package  
In addition, the device has ESD−protected input (15 kV Air) when  
bypassed with a 1.0 mF or larger capacitor.  
PIN CONNECTIONS  
Features  
IN  
1
2
6
5
EN  
PAD1  
IN  
• Overvoltage Protection up to 28 V  
GND  
OUT  
• On−Chip Low R  
NMOS Transistor: 65 mW  
DS(on)  
FLAG  
3
4
OUT  
• Internal Charge Pump  
• Overvoltage Lockout (OVLO)  
• Undervoltage Lockout (UVLO)  
• Soft−Start  
(Top View)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 11 of this data sheet.  
• Alert FLAG Output  
• Shutdown EN Input  
• Compliance to IEC61000−4−2 (Level 4)  
8.0 kV (Contact)  
15 kV (Air)  
• ESD Ratings: Machine Model = B  
Human Body Model = 3  
• DFN6 1.6x2 mm Package  
• This is a Pb−Free Device  
Applications  
• Cell Phones  
• Camera Phones  
• Digital Still Cameras  
• Personal Digital Applications  
• MP3 Players  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
March, 2009 − Rev. 0  
NCP349/D  
1234567...12

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NCP349MNAETBG 替代型号

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NCP349MNBGTBG ONSEMI

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